Подложки оксида марганца MnO

GaN пленки были выращены на близко согласованных по решетке подложках MnO (11-1) с помощью импульсного лазерного осаждения (PLD) и охарактеризовали их структурные свойства с помощью дифракции отраженных электронов высоких энергий (RHEED), атомно-силовой микроскопии (AFM) и скользящего угла падения. Рентгеновская отражательная способность (GIXR). Наблюдение с помощью RHEED показало, что монокристалл GaN (0 0 0 1) растет на MnO (1 1 1), и его эпитаксиальное соотношение в плоскости составляет GaN [1 1 2-bar0] // MnO [1 1-bar0]. Рассогласование решеток между GaN и MnO для этого выравнивания, по расчетам, составляет 1,6%. По измерениям GIXR шероховатость гетерограницы между GaN и подложкой MnO составила 2.3 нм.