Пластины карбид кремния SiC
Предлагаем высококачественные пластины карбид кремния для электронной и оптоэлектронной промышленности. Пластины карбид кремния являются следующим поколением полупроводникового материала, с уникальными электрическими свойствами и отличными тепловыми свойствами. По сравнению с пластинами кремния и арсенида галлия, пластины карбида кремния наиболее подходят для высокотемпературных устройств и сверхбыстрых высоковольтных устройств. Пластины поставляются диаметром от 50 мм обоих 4H либо 6H политипов.
|
Спецификация |
||
|
Политип |
6H-SiC |
4H-SiC |
|
Кристаллическая структура |
Шестиугольная |
Шестиугольная |
|
Ориентация |
по оси <0001> |
по оси <0001> |
|
Тип проводимости |
N - тип |
N - тип |
|
Добавка |
N2 ( Азот ) |
N2 ( Азот ) |
|
Диаметр*, мм |
50 |
50 |
|
Толщина*, мкм |
330 |
330 |
|
Удельное сопротивление, Ом-см |
0.02 ~ 0.1 |
0.012 ~ 0.03 |
|
Поверхность |
полированная |
полированная |
*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.