Пластины группы A3-B5
Пластины группы A3-B5 применяются в микроэлектронике для производства HEMT и HBT транзисторов, оптоэлектронике в производстве светодиодов, лазерных диодов и фотодиодов.
Благодаря своим уникальным электрическим и тепловым характеристикам, пластины группы A3-B5 - это подложки следующего поколения, идеальные для эпитаксиального роста. Мы предлагаем полную линейку подложек группы A3-B5 с быстрыми сроками поставки и конкурентными ценами.
Мы рады предложить Вам следующие типы пластин:
- Арсенид-галлиевые (GaAs)
- Фосфид-галлиевые (GaP)
- Антимонид-галлиевые (GaSb)
- Арсенид-индиевые (InAs)
- Фосфид-индиевые (InP)
- Антимонид-индиевые (InSb)
|
Спецификация |
||||||
|
Тип пластины |
GaAs |
GaP |
GaSb |
InAs |
InP |
InSb |
|
Диаметр*, мм |
50,8 - 152,4 |
50,8 |
50,8 |
50,8 |
50,8 - 76,2 |
50,8 |
|
Толщина*, мкм |
350 |
500 |
500 |
500 |
350 |
500 |
|
Проводимость |
Полупроводниковые либо полуизолирующие |
|||||
|
Тип проводимости |
P - тип, N - тип |
|||||
|
Легирующие примеси |
Кремний, сера, теллур, цинк, без примесей |
|||||
|
Ориентация |
<100>, <111> |
|||||
|
Полировка |
односторонняя либо двусторонняя |
|||||
*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.