Подложки карбида кремния 6H-SiC

Представлен сравнительный анализ основных характеристик постоянного тока и микроволнового излучения полевых MESFET-транзисторов, изготовленных из имеющихся в продаже политипов карбида кремния 3C – SiC, 6H – SiC и 4H – SiC. С этой целью мы разработали аналитическую модель, которая учитывает основные свойства материала, такие как подвижность, зависящая от поля, критическое электрическое поле, степень ионизации примесей и насыщение скорости носителей заряда. Для большей точности оценки характеристик устройства в случае устройства с коротким затвором следует учитывать влияние длины затвора и паразитных элементов конструкции, например также учитываются сопротивления истока и стока. Частота отсечки fT, соответствующая выходная мощность Pm и термическая стабильность также оцениваются и сравниваются с доступными экспериментальными данными, выявляя конкретные электрические характеристики MESFET, когда при изготовлении устройства используется любой из трех политипов.