Подложки цинковой шпинели (ганита) ZnAl2O4

Термостойкая подложка с низкими потерями на основе 0.83ZnAl2O4–0.17TiO2 (ZAT) была разработана в качестве замены Al2O3 для возможных применений в микроэлектронной промышленности в качестве подложек и упаковочных материалов. Теплопроводность ZAT составляет 59 Вт · м − 1 · K − 1, что более чем в два раза больше, чем у Al2O3. Коэффициент теплового расширения этого диэлектрика составляет 6,3 ppm ° C, что сопоставимо с коэффициентом расширения кремния, используемого в микроэлектронных схемах. Кроме того, диэлектрик 0.83ZnAl2O4–0.17TiO2 химически инертен по отношению к кремнию, что увеличивает его применимость в корпусах микроэлектроники.