Подложки теллурида цинка ZnTe

Тип:

N type / non-dope         P type / non-dope

Размер:

10мм x 10мм, по требованиям заказчика.

Толщина:

0.5мм, 1мм, по требованиям заказчика.

Ориентация:

(100), (110), по требованиям заказчика.

Полировка:

односторонняя, двусторонняя

Фотолюминесцентные (ФЛ) свойства структур с квантовыми ямами (КЯ) ZnTe / ZnMgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МПЭ), систематически исследовались в отношении ширины ям и содержания Mg. Наблюдаемые энергии пиков ФЛ хорошо согласуются с расчетными энергиями излучения квантовых ям с учетом искажения решетки в яме ZnTe. Из температурной зависимости интенсивности ФЛ было обнаружено, что подавление ухода носителей заряда из квантовой ямы имеет решающее значение для получения ФЛ при более высоких температурах в квантовой яме ZnTe / ZnMgTe. На основе результатов были спроектированы и изготовлены структуры с множественными квантовыми ямами, которые проявляли зеленую ФЛ при комнатной температуре.