Подложки селенида цинка ZnSe
Размер: |
5мм x 5мм ~ 10мм x 10мм, по требованиям заказчика. |
Толщина: |
0.5мм, 1мм, по требованиям заказчика. |
Ориентация: |
(100), (110), (111), по требованиям заказчика. |
Полировка: |
односторонняя, двусторонняя |
Селенид цинка (ZnSe) представляет собой химически стабильный и негигроскопичный халькогенид металла группы II-VI, который обладает многими полезными полупроводниковыми и оптическими свойствами, что делает его важным оптоэлектронным материалом. Он имеет полезные электронные свойства, такие как широкая и прямая запрещенная зона, низкое электрическое сопротивление и проводимость n-типа. Важные оптические свойства, такие как широкая прозрачность от видимого до среднего инфракрасного диапазона (MIR) длин волн, высокий показатель преломления, низкая дисперсия и высокая светочувствительность в сочетании с электронными свойствами, используются во многих оптоэлектронных устройствах, таких как светодиоды, лазерные диоды, источники MIR, солнечные элементы. [1–5] и оптические окна, линзы и призмы. Волноводы с низкими потерями были реализованы на подложках из ZnSe такими методами, как алмазное нарезание [6], лазерная запись [7], протонная имплантация [8], а также был применен элемент волновода с макроскопическим преобразованием Фурье с ослабленным инфракрасным излучением (FTIR-ATR). используется для обнаружения гибридизации ДНК [9]. Эпитаксиальные тонкие пленки ZnSe обычно выращивают на подложках GaAs для достижения согласования решеток (рассогласование 0,27%) для применения в лазерных диодах [2], солнечных элементах [3], генерации второй гармоники [10] и нелинейном переключении [11]. Однако нанесение неэпитаксиальных пленок ZnSe толщиной несколько микрон на кремний (Si) является сложной задачей в основном из-за различного теплового расширения и различных химических свойств [12]. Исследования микроструктуры тонких пленок ZnSe, осажденных на Si [13], влияния нагрева подложки на структурные, оптические и электронные свойства пленки ZnSe, осажденной на Si [12,14,15], УФ- и ИК-эллипсометрии ZnSe сообщалось о пленках, нанесенных на Si [16], и эпитаксиальных пленок ZnSe, нанесенных на Si методом МЛЭ [17]. Однако МПЭ не подходит для выращивания более толстых пленок порядка нескольких микрон. Поэтому в этой статье мы сообщаем об осаждении пленок ZnSe толщиной от 1,9 до 4,5 мкм на подложки Si путем термического испарения и распыления. Пленка ZnSe используется в качестве сердцевины волновода на окисленном кремнии, а также в качестве нижнего слоя оболочки на Si, а GeTe4 используется в качестве сердцевины волновода для MIR.