Подложки селенида кадмия CdSe

Селенид кадмия представляет собой полупроводниковое соединение II-VI с запрещенной зоной 1,67 эВ (§ 300 K) и высокой тормозной способностью для ядерной энергетики. Его кристаллическая структура гексагональная (вюрцит), и он используется в солнечных элементах, транзисторах, светодиодах,

электролюминесцентные устройства, детекторы ядерного излучения при комнатной температуре и нелинейно-оптические устройства. Он также используется в качестве подложки для эпитаксиальных

HgCdSe структур. Качество устройств в решающей степени зависит от свойств их материалов.

Нашей основной целью было определение характеристик коммерческой пластины CdSe. Кристаллическое качество оценивали по разным методикам. Поскольку он используется в качестве оптического окна в ИК-спектре, его оптическое пропускание было измерено с помощью FTIR (Perkin-Elmer System 2000). Распределение ямок травления определяли методом химического травления. Плотность дислокаций рассчитывалась с помощью оптической микрофотографии (Union Versamet 5279) при разориентации между соседними субзернами с помощью Shockley - Read

приближение. Проведена оценка надежности методик определения кристаллического качества. Раствор для травления был чувствителен к обнаружению линейных дефектов, а качество кристаллов было достаточным для изготовления устройств из этого материала. Использование просвечивающей электронной микроскопии подтвердило эти результаты.