Подложки нитрида галлия GaN

Тип

N type, Semi-Insulating

Размер:

10мм x 10мм ~ 15мм x 15мм, φ2 дюйма, по требованиям заказчика.

Толщина:

0.25мм - 0,45мм.

Ориентация:

(0001), (10-10), по требованиям заказчика.

Полировка:

односторонняя, двусторонняя

Подложка из нитрида галлия (GaN) представляет собой высококачественную монокристаллическую подложку. Он изготовлен с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластин, которая изначально разрабатывалась в течение многих лет. Отличаются высокой степенью кристалличности, хорошей однородностью и превосходным качеством поверхности. Подложки из GaN используются во многих сферах применения: для белых светодиодов и светодиодов (фиолетовых, синих и зеленых). Кроме того, продолжаются разработки для приложений питания и высокочастотных электронных устройств. Для достижения более высокого качества и производительности мы разработали процесс роста в жидкой фазе.

Поставляются монокристаллические подложки, тонкие пленки на сапфире, кремнии и карбиде кремния, эпитаксиальные структуры GaN HEMT.