Подложки нитрида галлия GaN
Тип |
N type, Semi-Insulating |
Размер: |
10мм x 10мм ~ 15мм x 15мм, φ2 дюйма, по требованиям заказчика. |
Толщина: |
0.25мм - 0,45мм. |
Ориентация: |
(0001), (10-10), по требованиям заказчика. |
Полировка: |
односторонняя, двусторонняя |
Подложка из нитрида галлия (GaN) представляет собой высококачественную монокристаллическую подложку. Он изготовлен с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластин, которая изначально разрабатывалась в течение многих лет. Отличаются высокой степенью кристалличности, хорошей однородностью и превосходным качеством поверхности. Подложки из GaN используются во многих сферах применения: для белых светодиодов и светодиодов (фиолетовых, синих и зеленых). Кроме того, продолжаются разработки для приложений питания и высокочастотных электронных устройств. Для достижения более высокого качества и производительности мы разработали процесс роста в жидкой фазе.
Поставляются монокристаллические подложки, тонкие пленки на сапфире, кремнии и карбиде кремния, эпитаксиальные структуры GaN HEMT.