Пластины арсенид индия InAs

Предлагаем пластины арсенид индия (InAs) для оптоэлектронной промышленности диаметром от 50 мм. Кристалл арсенид индия представляет собой химическое соединение чистого Индия и мышьяка. Пластины арсенид индия выращены методом Чохральского. Кристаллы имеют высокую однородность электрических параметров и низкую плотностью дефектов, пригодных для молекулярно - лучевой эпитаксии или МОС эпитаксиального роста. Применяется для производства высокочастотных транзисторов, светодиодов, фотодиодов, работающих в диапазоне инфракрасного спектра излучения.   

Пластины арсенид индия InAs

  

Спецификация

Метод роста

LEC

Диаметр*, мм

50.8

Толщина*, мкм

500 +/-25

Проводимость

Полупроводник

Ориентация

<100>, <111>, <110>

Полировка

Односторонняя либо двусторонняя

*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.

Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.