Пластины арсенид индия InAs
Предлагаем пластины арсенид индия (InAs) для оптоэлектронной промышленности диаметром от 50 мм. Кристалл арсенид индия представляет собой химическое соединение чистого Индия и мышьяка. Пластины арсенид индия выращены методом Чохральского. Кристаллы имеют высокую однородность электрических параметров и низкую плотностью дефектов, пригодных для молекулярно - лучевой эпитаксии или МОС эпитаксиального роста. Применяется для производства высокочастотных транзисторов, светодиодов, фотодиодов, работающих в диапазоне инфракрасного спектра излучения.
Спецификация |
|
Метод роста |
LEC |
Диаметр*, мм |
50.8 |
Толщина*, мкм |
500 +/-25 |
Проводимость |
Полупроводник |
Ориентация |
<100>, <111>, <110> |
Полировка |
Односторонняя либо двусторонняя |
*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.