Пластины антимонид галлия GaSb

Поставляем пластины антимонида галлия. Пластины широко применяются в оптоэлектронной промышленности, в лазерных излучателях и фотоприемниках. Диаметр пластин от 50 мм. Кристаллы антимонида галлия представляют собой химическое соединение чистого галлия (Ga) и сурьмы (Sb). Выращены методом Чохральского (LEC). Пластины антимонида галлия имеют высокую однородность электрических параметров с низкой плотностью дефектов, пригодных для молекулярно-лучевой эпитаксии либо МОС эпитаксиального роста.

Пластины антимонид галлия GaSb

 

Спецификация

Метод роста

LEC

Диаметр*, мм

50.8

Толщина*, мкм

500 +/-25

Проводимость

Полупроводник

Ориентвция

<100> , <111> , <110>

Полировка

Односторонняя либо двусторонняя

*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.

Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.