Эпитаксиальные пластины
Предлагаем широкий выбор эпитаксиальных гетероструктур группы A3-B5, а также эпитаксиальные гетероструктуры нитрида галлия (GaN) для электроники и оптоэлектронной промышленности. Мы готовы предложить Вам следующие типы эпитаксиальных пластин:
- Арсенид галлиевые (GaAs) эпитаксиальные пластины;
- Фосфид индиевые (InP) эпитаксиальные пластины;
- Нитрид галлиевые (GaN) эпитаксиальные пластины.
Эпитаксиальные пластины выращивают методом молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) или методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), однослойные либо многослойные структуры на подложках GaAs, InP либо сапфировых подложках диаметром свыше 75 мм.
|
Применение |
|
|
Электронная промышленность: |
Оптоэлектронная промышленность: |
|
HBT |
Фотодетекторы --- PIN (GaAs, InP) |
|
PHEMT |
QWIP |
|
MHEMT |
Лазерные диоды |
|
GaAs-based |
Светодиоды |
|
InP-based |
Лазеры с излучением 980нм |
|
По спецификации заказчика |
Вертикально-излучающие лазеры (VCSEL) |
|
|
По спецификации заказчика |
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.