Кристаллы одночастотных (DFB) лазерных диодов

Предлагаем к поставке кристаллы одночастотных (DFB) лазерных диодов. Кристаллы одночастотных лазерных диодов выращиваются методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (MOVPE). Оптическое усиление обеспечивается за счет двойной гетероструктуры, которая включают в себя несколько квантовых ям для электронного насыщения. Размер эмиттера колеблется от 3 мкм до 7 мкм. Одночастотный режим обеспечивается за счет усиленной эмиссии решеток Брэгга с лазерным чипом. Поверхность кристалла лазера работает как зеркало резонатора за счет разности преломления материала лазера с окружающим воздухом. Задняя грань кристалла обладает покрытием с высокой отражающей способностью. В свою же очередь, передняя грань кристалла обладает высококачественным антибликовым покрытием для предотвращения режима работы диода в качестве лазера Фабри Перо. Предлагаемые нами кристаллы одночастотных (DFB) лазерных диодов доступны практически в любом интервале длин волн от 760 нм до 2800 нм. 

Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.